Hacker Sim

Пока не известная аббревиатура ReRAM (Resistive Рэм) будет спасателем скоростных систем сохранения данных в не сильно отдаленном будущем. И больше. В настоящее время группа исследователей из University College London сделала первые пластинки с чипами ReRAM на базе кремния.

Новая конструкция владеет рядом значительных плюсов над памятью NAND. Незначительная справка: резистивная Рэм как правило создается на базе оксидов разных металлов, электрическое противодействие которых меняется под действием электроэнергии. Память гарантирует неоднократно повысить размер обычных USB-накопителей, неоднократно повысить мощность, при этом уменьшить стоимость изготовления и снизить занимаемую чипами площадь. Если не менее точно, ReRAM гарантирует в сто раз огромную скорость работы сравнивая с какой-то «стандартной памятью NAND». Полоса с чипами, сделанная в University College London, целиком выполнена из оксида кремния, что дает возможность повысить долговечность, противодействие, при этом для работы такой памяти не требуется вакуум (что на обычном языке обозначает «дешевле»). 

Вторая значительная специальная особенность ReRAM — чипсеты могут менять проводимость, играть в качестве вычисляемых блоков. Выходит, в дальнейшем изготовители сумеют формировать целые блоки, которые сумеют держать данные и делать вычисления синхронно! Исследователи рассчитывают, что в будущем оксидные технологии позволят формировать полновесные микропроцессоры. 

А пока компании перешли к изготовлению бесцветных чипов памяти на базе ReRAM. Рассказывают, технологию будут применять изготовители различных механизмов Elpida, Sharp и Sony. Высокоумный доклад об образовании пластинки обнародован на веб-сайте с сообщающим наименованием Phys.org — все те, кто знаком с британским языком не понаслышке, могут пройти по данной сноске и попрактиковаться в познаниях.